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CY7C1911JV18-300BZC

Mfr# CY7C1911JV18-300BZC
Mfr. Cypress Semiconductor
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Mehr Informationen Erfahren Sie mehr über Cypress Semiconductor CY7C1911JV18-300BZC
Datenblätte CY7C1911JV18-300BZC.pdf

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Produktparameter

Artikelnummer CY7C1911JV18-300BZC
Hersteller Cypress Semiconductor
Beschreibung IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge 5798 pcs
Datenblätte CY7C1911JV18-300BZC.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite -
Spannungsversorgung 1.7 V ~ 1.9 V
Technologie SRAM - Synchronous, QDR II
Supplier Device-Gehäuse 165-FBGA (13x15)
Serie -
Verpackung Tray
Verpackung / Gehäuse 165-LBGA
Andere Namen CY7C1911JV18300BZC
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)
Speichertyp Volatile
Speichergröße 18Mb (2M x 9)
Speicherschnittstelle Parallel
Speicherformat SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (2M x 9) Parallel 300MHz 165-FBGA (13x15)
Uhrfrequenz 300MHz
Basisteilenummer CY7C1911

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