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TSM160P04LCRHRLG

Mfr# TSM160P04LCRHRLG
Mfr. TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblätte TSM160P04LCRHRLG.pdf

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Produktparameter

Artikelnummer TSM160P04LCRHRLG
Hersteller TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 56619 pcs
Datenblätte TSM160P04LCRHRLG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-PDFN (5x6)
Serie Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max) 69W (Tc)
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN
Andere Namen TSM160P04LCRHRLGTR
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2712pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Typ FET P-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
detaillierte Beschreibung P-Channel 40V 51A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 51A (Tc)

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